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IRF5804PbF
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-40
–––
––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.03
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = -1mA
m ?
μA
nA
ns
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
-1.0
2.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.7
2.8
2.1
19
430
100
64
680
60
44
198 V GS = -10V, I D = -2.5 ?
334 V GS = -4.5V, I D = -2.0A ?
-3.0 V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -10V, I D = -2.5A
-10 V DS = -32V, V GS = 0V
-25 V DS = -32V, V GS = 0V, T J = 70°C
-100 V GS = -20V
100 V GS = 20V
8.5 I D = -2.5A
4.2 nC V DS = -20V
3.2 V GS = -10V
––– V DD = -20V ?
––– I D = -1.0A
––– R G = 6.0 ?
––– V GS = -10V
––– V GS = 0V
––– pF V DS = -25V
––– ? = 1kHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
???
???
???
???
- 2.5
- 10
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
24
32
-1.2
36
49
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -2.0A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = -2.0A
di/dt = -100A/μs ?
?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? Surface mounted on 1 in square Cu board
www.irf.com
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